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面前，以传统半导体硅（Si）为主要材料的半导体器件仍然主导着电力电子功率元件。但现存的硅基功率本领正接近材料的表面极限白虎 意思，只可提供渐进式的改换，无法闲散当代电子本领对耐高压、耐高温、高频率、高功率乃至抗放射等特殊条目的需求。 因此，业界开动寻求新的半导体材料来闲散行业需要，期盼冲破传统硅的表面极限。 碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等级三代半导体材料因具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子充足漂移速率等特色，成为面前功率电子材料与器件连系的热门。 与*代、第二代半导体比拟，第三代半导体材